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Bruno FAIN (LIP)

Vendredi 8 Mars 2013, 14h00

Titre : Analyse des propriétés électroniques et structurales des boîtes quantiques semiconductrices InAsP/InP(001) par microscopie à effet tunnel et microscopie électronique en transmission

Orateur : Bruno FAIN (LIP)

Résumé :

Les réalisations spectaculaires de l’optoélectronique durant ces dernières décennies s’appuient sur le développement de nouveaux types de nanostructures. Parmi elles, les boîtes quantiques suscitent actuellement un grand intérêt dans la communauté : ces « atomes artificiels » présentent des propriétés spécifiques pour l’émission d’états quantiques de la lumière. En particulier, les boîtes quantiques InAsP/InP sont de bons candidats pour la réalisation de sources de photons uniques à la longueur d’onde des télécommunications fibrées. Ce développement, nécessaire au développement de la cryptographie quantique à grande échelle, est en cours de développement au Laboratoire de Photonique et de Nanostructure (LPN, Marcoussis). Cependant, en raison de la grande taille de ces boîtes quantiques ( 50nm de taille latérale), des doutes persistent quant à la faisabilité d’une telle source : une caractérisation fine des propriétés des boîtes quantiques s’est révélé nécessaire.

Au cours de ce séminaire, j’exposerai les techniques de fabrication des boîtes quantiques en couche mince (croissance auto-assemblées, croissance sélective) et les apports de deux techniques complémentaires, la microscopie à effet tunnel et la microscopie électronique en transmission, pour appréhender les propriétés de ces nanostructures. En particulier, les fonctions d’onde des boîtes quantiques, mesurées par spectroscopie tunnel sous ultra-vide à 4K, seront interprétées par des simulations par éléments finis.